SUP85N10-10-GE3 Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100V/85A 2500
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Beschreibung
Produktdetails:
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
Technische Daten:
Eigenschaft: Wert
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 85 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Gehäusegröße: TO-220AB
Montage-Typ: Durchsteckmontage
Pinanzahl: 3
Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 m?
Channel-Modus: Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Verlustleistung max.: 250000 mW
Transistor-Konfiguration: Einfach
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Breite: 4,7mm
Länge: 10,41mm
Betriebstemperatur max.: +175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff: Si
Höhe: 9,01mm
Betriebstemperatur min.: -55 °C
Zusätzliche Informationen
| Bestelleinheit |
1 Stück |
|---|---|
| Inhaltseinheit |
1 Stück |
| Artikel-ID des Herstellers |
3772893 |
| Typ laut Hersteller |
SUP85N10-10-GE3 |
| Referenz-Merkmalsystem |
ECLASS-8.1 |
| Hersteller |
Farnell |